M2LR 预购从速

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出，以及即将发布的第四代600 V EF系列产品，Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay新高能效E系列超结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω，超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

全球已进入机器学习与高阶图像处理极为发达的时代，机台设备需在短时间内处理巨量数据，故高效运算、稳定传输是众多产业发展的关键。根据市调机构MarketsandMarkets的数据指出，全球机器视觉(Machine Vision)的市场规模将从2020年96亿美元，成长到2025年的130亿美元，复合年增长率达到6.1％。有鉴于此，全球嵌入式存储威刚科技(ADATA Technology Co., Ltd.)推出新款工业级CFexpress记忆卡ICFP301，采用PCIe Gen3x2高速传输接口，提供每秒高达1600/1200MB的读写速度，具备小巧外型和优异效能，预期可为HPC (高效能运算)、AI深度学习、智能影像分析、工业自动化等应用，扮演至关重要的存储角色。

PCIe高速传输 运算如虎添翼

威刚工业级CFexpress Type B记忆卡ICFP301，采用PCIe Gen3x2和3D TLC闪存，符合CFA(CompactFlash Association)新一代CFexpress 1.0及NVMe 1.3规范；并支持4K/8K超高清的专业视讯、影像监控及智能辨识系统，读写速度高达每秒1600/1200MB，不仅可满足新世代摄录像机的存取需求；其小巧易安装的优点，也相当适合空间局限的嵌入式主机。

并支持工业级耐宽温(-40°C- +85°C)需求，在户外严苛环境下仍能使设备稳定耐用。得益于1.6W低功耗的优势，ICFP301的散热表现也极为出色，可大幅提升产品稳定度。

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