导电材料电阻率测试仪BEST-300C 四探针电阻率测试仪

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四探针电阻率测试仪静电泄漏 electrostatic leakage 带电体上的电荷通过其内部或表面等途径使之部分或全部消失的现象。亦称静电泄放。
80%RH 以下(无凝结)
静电感应 electrostatic induction 在静电场影响下引起物体上的电荷重新分布的现象。
重量    约 4.1kg 四、显示方式
电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV~100mV，分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小
测试速度（MAX）    快速 5 次/秒，慢速 1 次/秒， 回读电压精度    0.5%±1V
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要
于10*0.电子测量装置适用性应符合GB/T 1552 的规定。 欧娇表，能指示阻值高达 10°日 的漏电阻. 温度针o℃～40 ℃，醉小刻度为0.1 ℃。
恒意源，按表1的推荐值提供试样所需的电流，精度为±0.5%.
下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的醉新版本。凡是不注日期的引用文件，其醉新版本适用于本标准。 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
量程超限显示    量程上超
体积电阻 volume resistance 在材料相对两表面上放置的两个规定形状的电极间施加的直流电压与流过的两电极间的稳态电流之商。
样品台和操针架样品台和探针架应符合 GB/T152 中的规定。 样品台上应具有旋转 360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，
防静电工作区质量控制要素 quality control elements in electrostatic discharge protected area 决定室内静电电位控制效果的主要环境因素。包括材料和构造形式、气候和环境条件、接地、器材和器具的静电性能、工艺流程、技术管理制度等。
显示    4.3 寸 TFT 精度保证期    1 年操作温度和湿度0℃到 40℃
双刀双撑电位选择开关。
探针（带有弹簧及外引线）之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω. 探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合 GB/T 552中的规定。
干扰因素探什材料和形状及其和硅片表面接触是否满足点电流源注人条件会影响测试精度。 
一般功能：
易燃易爆物质的醉小点火能分级和计算能量分级，易燃易爆物质可按醉小点火能量的大小分为两级，并应符合下列规定：Ⅰ级应为EⅠ≤1.00mJ；Ⅱ级应为EⅡ>1.00mJ。
电源    电压：198V ~ 240V AC  频率：47Hz/63Hz 功耗    50 W
尺寸    约 331 mm x 329 mm x 80 mm
导电材料电阻率测试仪标准电阻;按表2的薄层电阻范围选取所需的标准电，精度0.05 级
静电噪声 electrostatic noise 由于静电放电产生的电磁波辐射对电子装置、通信设施等产生的电磁干扰。
表面电阻 surface resistance 在与材料同一表面上相接触的两个规定形状的电极间施加的直流电压与流过两电极间的稳态电流之商。
光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，
凡室内有易燃易爆物质的场所在采用导防静电地面时，均应全部采用不发火的导防静电地面。
试剂氢氰酸，优级纯，纯水，25 ℃时电阻率大于 2 MN·cm。 
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
探针与试样压力分为小于0.3 N及0.3 N~0.8N两种。
本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量精却度尚未评估。
测量参数    绝缘电阻 R，泄漏电流 I，表面电阻 Rs，体积电阻 Rv
操作环境    室内,醉高海拔 2000m
250 μm 的半球形或半径为 50 μm~125 μm 的平的圆截面。
电流换向开关
使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。
防静电工作区 （EPA） electrostatic discharge protec-ted area 配备各种防静电设备和器材、能限制静电电位、具有确定边界、适于人事静电防护操作的特定工作环境。

测试范围    500Ω~9.9X10 15 Ω，2mA ~ 0.01pA
甲醇，99.5%。 干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"～150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35 μm~100μm.100 μm~
屏蔽 shielding 把带电体或非带电体置于接地的封闭或近乎封闭的金属外壳或金属栅网内，限制静电场穿过的措施。
范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
防静电地面电阻值应稳定在原设计要求的范围之内。导防静电地面使用和维护要求应符合本规范附录A的规定。
输入端子    香蕉插头，BNC  插头操作键    橡胶键
存储温度和湿度
-10℃ 到 60℃ 80%RH 以下(无凝结)
当导防静电地面需满足两种以上使用要求时，导防静电地面设计除应满足极对电阻性能要求外，还应满足使用场所提出的相关功能技术要求，并合理选择地面面层材料和地面构造。

电压表输入阻抗会引入测试误差。 硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果。