导电防静电塑料体积电阻率测试仪北广精仪BEST-2526

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导电防静电塑料体积电阻率测试仪北广精仪BEST-2526
导防静电地面的使用期内，导静电地面电阻值应稳定在大于5.0×104Ω、小于1.0×106Ω的范围之内；
电压范围及精度，≤20 mV，主±0，1%。 
测量电压量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
3    5.在生产和储运过程中，已对危险物质采取了其他有效防静电措施，可按措施的有效程度选择3级或4级；
计算能量分级与计算应符合下列规定：人与易燃易爆物质的能量耦合参数分级应符合下列规定：1级Ke1应为1；2级Ke2应为10；3级Ke3应为100；4级Ke4应为1000。
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

测量误差±5%
测量仪器与环境本标准选用自动测量仪器，电流范围及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。 
可采用恒压法，恒流法和对数比较器法，其电路图分别见图1、图2、图3.具体计算公式分别见式（2）、式（3）和式（4）
计算能量分级应符合下列规定：Ⅰ级应为ËⅠ≤1.00mJ；Ⅱ级应为1.00mJ<ËⅡ≤100mJ；Ⅲ级应为ËⅡ>100mJ。

CB/T1550 非本征率导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
R,- Rlor()式中;R，—-精密电阻盟值，单位为欧姆（N）; loe（告）——-对数比较器输出。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
1    1.人或其他带静电物体有可能直接或通过金属导体与危险品接触的场所，应选择1级；
当导防静电地面需满足两种以上使用要求时，导防静电地面设计除应满足极对电阻性能要求外，还应满足使用场所提出的相关功能技术要求，并合理选择地面面层材料和地面构造。
9.危险物质的成品已进入了气密式封装的周围通道、库房等场所，并不进行开封操作，应选择4级
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
2    3.人或其他带静电物体与危险品通过防静电材料制作的工具或其他方式间接接触的场所，应选择2级；
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂建外延层厚度的红外反射测显方法
应避免试样表面上存在OH-和F离子，如果试样在制备或清洗中使用了含水溶剂或材料，测量前可将试样在140℃士20 ℃条件下空气中热处理10mi~15 min.
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
—Ⅰ级计算能量；ËⅡ——Ⅱ级计算能量；ËⅢ——Ⅲ级计算能量；Ken——能量耦合参数；R——极对地电阻值；Ro——人对地电阻值；Umin——产品的静电安全电压；Uo——人体瞬态带电电压；Up——人在绝缘地面上活动起电的峰值电压；Upmax——人站立在导（防）静电地面上动作起电所呈现的峰值电压；△t——从起电开始到Upmax所经过的时间；to——0.63△t；ρv——体积电阻系数。

范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
测量精度±（0.1%读数）
圆试精度∶士5%， 机械装置操针架，采用双探针结构。探针架用作支承探针，使其以重复的速度和预定的压力将探针尖下降至试样表面，并可调节探针的接触点位置探针实采用坚硬耐磨的良好导电材料如饿、碳化鸭成将钉合金等制成。针突曲率半径不大于 25 μm，夹角 30°～60°。针距为40 μm～100 μm。

干状因素如果硅片表测被氯离子估污或表固有损伤，会造成测试的结果误差; 如果测试环境的温度，光照强度的不同会影响测试结果; 如果测试环境有射频干扰，会影响测试结果.
导防静电地面电阻值的上限，可根据计算能量初选；电阻值的下限，应根据确保人身安全限制放电电流或限制放电火花能量等要求确定。
下列场所均应采用导防静电地面：有易燃易爆物质的场所；有静电敏感的电气或电子元件、组件和设备的场所；因人体静电放电对产品质量或人身安全带来危害的场所。
地面上限电阻值的确定，地面所在场所的计算能量和计算能量级别划分，应符合下列规定：1.场所中被加工介质的醉小点火能，可按本规范表B.0.1~表B.0.3确定；2.能量耦合参数应根据工艺条件确定，并应符合本规范表3.2.3的规定；3.应根据本规范式计算Ëmin值；4.应根据本规范规定划分计算能量级别ËⅠ、ËⅡ、ËⅢ。
电阻测量范围：
导防静电地面所处场所中有多种易燃易爆物质时，应分别计算不同易燃易爆物质的计算能量，并以醉小的计算能量作为该场所的计算能量。能量耦合参数级别与选择条件，应符合表3.2.3的规定。
规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，敷励根据本标准达成协议的各方研究是香可使用这些文件的醉新服本。凡是不注日期的引用文件，其醉新版本适用于本标准。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
方法原到扩展电阻法是一种实验比较法。
绝缘性，探针之间及任一探针与机座之间的直流绝缘电阻大于（1×10）n， 测量环境
显示方式：液晶显示
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
样品台，绝缘真空吸盘或其他能将硅片固定的装置，能在互相垂直的两个方向上实现5μ~500μm 步距的位移
6.危险物质已加工成成品、半成品，半已采取了有效的防静电盛装、包装，在储运和周转中保证人不与其直接接触，可选择3级或4级
计算能量可按下式计算： （3.2.2）式中：Ë——计算能量（mJ）；Ken——能量耦合参数；Emin——醉小点火能量（mJ）。

对于电阻率均匀一致的半导体材料来说，探针与半导体材料接触半径为a的扩展电阻用式（1）来表示;
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
防静电地面电阻值应稳定在原设计要求的范围之内。导防静电地面使用和维护要求应符合本规范附录A的规定。
测量环境温度为23 ℃士3 ℃，相对温度不大于65%. 5，在爱射光或黑暗条件下进行调量。 必要时应进行电磁屏蔽。 探针架置于消度台上，为保证小信号测量条件，应使探针电势不大于 20 mV。
防静电地面所处场所的静电能量分级与地面电阻值的确定，选择导防静电地面的一般规定，根据地面的不同使用环境条件、技术要求，应选择不同类型的导防静电地面，并应使地面极对地电阻值控制在安全要求的范围内；若不能满足要求，则应采取其他的防静电措施。
能量耦合参数级别    场所中物质的状态、环境条件及级别选择
4    7.危险物质生产、销售已采取有效防静电措施并处在敞开式的场所，应选择4级；
易燃易爆物质的醉小点火能分级和计算能量分级，易燃易爆物质可按醉小点火能量的大小分为两级，并应符合下列规定：Ⅰ级应为EⅠ≤1.00mJ；Ⅱ级应为EⅡ>1.00mJ。
8.危险物质在封闭的设备、管道中进行生产和输送，并采取了有效的防静电措施，应选择4级；

电导率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率：  醉小1μΩ    

4.危险物质在非正常状态下有可能进入对静电敏感状态的场所，应选择2级
电阻：1×10-5～2×105Ω
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
a）两个探针之间的距离必须大于 10 倍 a; b） 样品电阻率需均匀一致; c） 不能形成表面保护膜或接触势垒。
表 3.2.3 能量耦合参数级别与选择条件
误差：±0.2%读数±2字
电源：220±10% 50HZ/60HZ 

凡室内有易燃易爆物质的场所在采用导防静电地面时，均应全部采用不发火的导防静电地面。
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
2.危险物质对静电处于敏感状态的场所，应选择1级
式中;p—-—电阻率，单位为欧姆厘来（0·cm）; a——接触率径，单位为厘米（cm） R，——扩展电阻，单位为欧姆（N），等式成立需符合如下三个假定条件;

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测试样在探针接触点期近的电阻率。扩展电阻R是导电金属深针与建片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围，10-* n·cm～10' Ω·cm。