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一般信息 规格 FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 标准 | 漏源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 60A | 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(***值) | 5.5 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时的 Vgs(th)(***值) | 2.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 6200pF @ 15V | 功率 - ***值 | 46W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual | | 文档 PCN 组件/产地 | Multiple Devices 11/Dec/2015 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | | 图像和媒体 |
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