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一般信息
规格 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET | 电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.7V | 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 输入类型 | 非反相 | 高压侧电压 - ***值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 40ns,20ns | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 8-DIP | |
文档 产品目录页面 | 1381 (CN2011-ZH PDF) | |
图像和媒体
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