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一般信息
规格 FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 功能 | 标准 | 漏源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 24A(Tc) | 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(***值) | 200 毫欧 @ 12A,10V | 不同 Id 时的 Vgs(th)(***值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V | 功率 - ***值 | 290W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | 供应商器件封装 | TO-3PN | |
文档 PCN 过时产品/ EOL | Multiple Devices 14/Mar/2011 | |
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