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SRAM是英文Static RAM的缩写,即静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM有如下特点:优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。缺点,集成度低,掉电不能保存数据,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
SRAM工作原理:假设准备往图2的6T存储单元写入“1”,先将某一组地址值输入到行、列译码器中,选中特定的单元,然后使写使能信号WE有效,将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线BL,BLB上,此时选中单元的WL=1,晶体管N0,N5打开,把BL,BLB上的信号分别送到Q,QB点,从而使Q=1,QB=0,这样数据“1”就被锁存在晶体管P2,P3,N3,N4构成的锁存器中。写入数据“0”的过程类似。
SRAM的读过程以读“1”为例,通过译码器选中某列位线对BL,BLB进行预充电到电源电压VDD,预充电结束后,再通过行译码器选中某行,则某一存储单元被选中,由于其中存放的是“1”,则WL=1、Q=1、QB=0。晶体管N4、N5导通,有电流经N4、N5到地,从而使BLB电位下降,BL、BLB间电位产生电压差,当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器,对电压进行放大,再送到输出电路,读出数据。