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IRFS4115TRLPBF（IR进口原厂原装，假一罚十！我们只做现货！）

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文档	Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	800
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	150V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	195A
Rds（***）@ ID，VGS	12.1 mOhm @ 62A, 10V
VGS（TH）（***）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	120nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	5270pF @ 50V
功率 - ***	375W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3D2PAK
通道模式	Enhancement
***漏源电压	150 V
***连续漏极电流	195 A
RDS -于	12.1@10V mOhm
***门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	18 ns
典型上升时间	73 ns
典型关闭延迟时间	41 ns
典型下降时间	39 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	195A (Tc)
的Vgs（th ）（***）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	150V
供应商设备封装	D2PAK
开态Rds（***）@ Id ，V GS	12.1 mOhm @ 62A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - ***	375W
输入电容（Ciss ） @ VDS	5270pF @ 50V
其他名称	IRFS4115TRLPBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS	120nC @ 10V
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

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