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FQA11N90C_F109(FAIRCHILD仙童进口原厂原装,假一罚十!我们只做现货!)
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FQA11N90C_F109(FAIRCHILD仙童进口原厂原装,假一罚十!我们只做现货!)

产品价格:
¥ 6.00
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牌:
Fairchild
号:
FQA11N90C_F109
色:
全新 | 保修30天

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文档 Passivation Material 26/June/2007
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(***)@ ID,VGS 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(***)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 80nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3290pF @ 25V
功率 - *** 300W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16313?mpart=FQA11N90C_F109&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装 3TO-3PN
通道模式 Enhancement
***漏源电压 900 V
***连续漏极电流 11 A
RDS -于 1400@10V mOhm
***门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 60 ns
典型关闭延迟时间 130 ns
典型下降时间 85 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
***门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-3P(N)
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
***漏源电阻 1400@10V
***漏源电压 900
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-3P(N)
***功率耗散 300000
***连续漏极电流 11
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11A (Tc)
的Vgs(th ) (***)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 900V
供应商设备封装 TO-3P
开态Rds(***)@ Id ,V GS 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - *** 300W
输入电容(Ciss ) @ VDS 3290pF @ 25V
其他名称 FQA11N90CF109
闸电荷(Qg ) @ VGS 80nC @ 10V
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
身高 18.9mm
长度 15.8mm
***漏源电阻 1.4 Ω
最高工作温度 +150 °C
***功率耗散 300 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-3PN
典型栅极电荷@ VGS 60 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 2530 pF V @ 25
宽度 5mm
工厂包装数量 30
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 11 A
系列 FQA11N90C_F109
单位重量 0.225789 oz
RDS(ON) 1.4 Ohms
功率耗散 300 W
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-3PN
上升时间 130 ns
漏源击穿电压 900 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 85 ns


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