易卖工控网10月9日讯，近日，英特尔宣布将加入东芝的PLC（Penta-LevelCell，即每个单独的NAND单元存储5位）俱乐部。英特尔尚未将该技术商业化，因此你还不能购买PLCSSD，但是我们可以期望该技术最终将导致更高容量和更便宜的固态硬盘。 　　要了解其工作原理和原因，我们需要回顾一下SSD的设计历史。固态磁盘的最基本体系结构特征之一是，每个单独的NAND单元中可以存储多少位。最简单，最可靠的设计是SLC（单层单元），其中每个浮栅NAND单元都带电或不带电，表示1或0。SLC闪存可以以非常高的速度写入，并且通常可以承受数倍的写入时间周期比更复杂的设计可以做到的多（为每个驱动器指定了耐用性级别，但在这里，NationalInstruments使用100K，20K和3K作为SLC，eMLC和MLC驱动器的示例程序/擦除周期耐用性级别。）

　　尽管SLC闪存具有高性能，高耐用性和高可靠性，但制造成本也非常高。直到MLC（多层单元）闪存广泛可用，SSD才进入消费市场。自然，存储行业就是如此，他们从这里混淆了事情。这些是各种NAND存储级别的行业术语：

　　SLC-单层单元。每个单元存储一位。通常只在小型缓存层或超高性能企业级SSD中找到。

　　MLC-多层单元。在现实世界中，这专门指每个单元两位。例如，早期的消费类驱动器（例如IntelX-25M）和现代的高性能驱动器（例如Samsung860Pro）。

　　eMLC-企业多层单元。实际上，这只是为了降低错误率而限制了写入速度的MLC。每个单元仍然只存储两位。

　　TLC-三层单元。每个单元存储三位。大多数现代消费类驱动器（例如Samsung860EVO和WesternDigitalBlue）都是TLC驱动器。

　　QLC-四层单元。每个单元存储四位。三星的860QVO和英特尔的660P等一些大容量，低成本的消费类SSD使用。

　　PLC-五层单元，因为“五元组”的首字母缩略词会与4位QLC相冲突。每个单元存储五位。这是英特尔和东芝本季度首次亮相的新技术。 　　英特尔还坚持使用早期SLC设备中使用的浮栅单元设计，从而与竞争对手区分开来，而不是其他行业已转向的较便宜的电荷陷阱设计。从技术角度来看，暂时的研究人员还不清楚哪种技术实际上是更好的技术，但英特尔认为浮栅可以更高的密度制造，这意味着它可以将更多的单元封装到相同的物理区域中。

　　不幸的是，尽管PLCSSD可能会更大，更便宜，但它们可能也会变慢。现代SSD大多使用TLC存储和一小层SLC写缓存。只要您不会太快地写入太多数据，SSD的写入速度就会与读取的速度一样快-例如，三星的消费类驱动器的额定速度高达520MB/sec。但这仅需保持在相对较小的SLC缓存层内即可。一旦您填满了这些内容并且必须实时地直接写到主要媒体上，事情就会大大减慢。 　　三星通过MLC，TLC和QLC单元密度制造了广泛使用的消费类和专业消费类驱动器，因此查看它们的额定速度有助于您了解如何发挥作用。值得注意的是，这些已发布的规范是针对整个驱动器的，而不是针对单个NAND单元的。较大的SSD与较小的SSD相比，可以使用更多的并行性并以更高的吞吐量运行。没有容量低于1TB的三星QVO，部分原因是它必须更慢。 　　我们无法确切地告诉您PLC介质将（或不会）有多快，但是我们在这里看到的进展并不会让它看起来很棒。随着必须可靠地检测到的每个单元的不同电压电平的数量增加，准确而可靠地读取或写入这些单元所花费的时间也随之增加。我们可以在三星针对上述三种SSD型号发布的规格中特别清楚地看到这一点：Pro系列驱动器根本不使用SLC缓存，因此无论您多么努力地推动其最大写入速度都是一致的。相比之下，一旦耗尽缓存，EVO和QVO就会掉下来。

　　由于对QLC介质的连续写入速度已经下降到或低于传统硬盘驱动器，因此PLC似乎是一个利基市场，与NAS和数据中心驱动器的竞争要比针对高性能的笔记本电脑和台式机SSD的竞争要大得多。当然，顺序吞吐并不是全部，并且与传统磁盘相比，PLC介质在挑战随机访问工作负载时仍应提供更高的IOPS。但是，除了真正的大容量驱动器之外，它可能不是一个好的解决方案，它可以使用更高的并行度（认为是“InvisibleRAID0”）来抵消PLC单元的缓慢特性。以上就是关于一种会让SSD价格会越来越便宜的PLC技术你想了解么的相关内容介绍，更多PLC相关信息请访问：工控网（https://www.ymgk.com）